Э.П. Гаврилов, доктор юридических наук.

Е.А. Данилина, кандидат юридических наук.

Основы правовой охраны

Начиная со второй половины XX в., во всем мире бурно развивается микроэлектроника. В различных приборах, машинах и механизмах широко используются интегральные микросхемы (далее - ИМС) - микроэлектронные изделия, включающие электронные схемы, которые состоят из отдельных элементов, находящихся в определенных связях друг с другом. Интегральные микросхемы именуются также "чипы". ИМС (чип) - это материальный объект, воплощающий определенные технические решения.

Технические решения, воплощенные в ИМС, заключаются в большом числе электрических (электронных) схем, соединяющих отдельные элементы сложными связями, которые идут как по горизонтали, так и по вертикали. В результате работы автора появляется объемная электронная схема, геометрический рисунок которой именуется "топология интегральной микросхемы" (далее - "топология"). Топология ИМС по сути - воплощение электронной схемы на микроуровне в кристаллических структурах.

Следует отметить, что слово "топология" означает науку, изучающую свойства фигур, не изменяющиеся при любых деформациях, производимых без разрывов и склеиваний. Создание новой топологии является творческим процессом, а сама топология - результатом технического творчества, аналогичным изобретениям или полезным моделям.

Некоторые особенности топологий (например, трудности, возникающие при выражении сущности топологии в виде формулы изобретения), а также некоторые фактические обстоятельства (явное лидерство США и Японии) обусловили тот факт, что топологии во многих странах мира были "выведены" из сферы патентной охраны. В результате возникла особая правовая система их охраны, не вписывающаяся ни в патентную, ни в авторско-правовую охрану. В России эта особая система выражена в Законе Российской Федерации от 23 сентября 1992 г. N 3526-1 "О правовой охране топологий интегральных микросхем" (далее - Закон). Изменения в него были внесены Федеральным законом Российской Федерации "О внесении изменений и дополнений в Закон РФ "О правовой охране топологий интегральных микросхем" от 9 июля 2002 г. N 82-ФЗ <*>.

<*> Патенты и лицензии. 2002. N 8. С. 49.

Исключительное право и срок его действия

Охрана топологий возникает автоматически с момента их создания, то есть выражения топологии в какой-либо объективной форме (чертеж, память ЭВМ, компакт-диск, образец чипа). Для возникновения охраны не требуется соблюдения каких-либо формальностей, хотя они предусмотрены Законом.

Среди таких формальностей следует прежде всего упомянуть проставление знака охраны топологии, состоящего из буквы "Т", даты первого использования топологии и имени (наименования) владельца прав (п. 8 ст. 9 Закона), а также факультативную государственную регистрацию топологии (п. 1 - 7 ст. 9 Закона). При этом согласно п. 1 ст. 9 Закона топологии, содержащие сведения, составляющие государственную или иную охраняемую законом тайну, официальной регистрации не подлежат.

Топология охраняется на основе принципа оригинальности. Фактически это означает, что правовой охраной пользуется любая самостоятельно созданная топология. Более того, правовую охрану получает и топология, созданная автором с использованием элементов из других (чужих) топологий. В этом случае оригинальным должно быть сочетание различных элементов, предложенное автором (п. 1 - 3 ст. 3 Закона).

"Оригинальной является топология, созданная в результате творческой деятельности автора и являющаяся неизвестной следующим лицам: автору и (или) специалистам в области разработки топологий на дату ее создания" (п. 2 ст. 3 Закона). Таким образом, для оценки оригинальности топологий учитывают не только объективную, но и субъективную новизну (неизвестность самому автору). Особенность норм п. 1 - 3 ст. 3 - наличие фигуры "специалиста", что позволяет сделать вывод о схожести подходов к топологиям и к патентуемым объектам (сравните с формулировкой изобретательского уровня из п. 1 ст. 4 Патентного закона: "Изобретение имеет изобретательский уровень, если оно для специалиста явным образом не следует из уровня техники").

Право возникает не только на топологию в целом, но и на отдельные ее части, если они оригинальны. Первоначально право на топологию всегда возникает у физического лица, ее создавшего, то есть у автора. При наличии двух или более авторов они совместно пользуются правами на топологию.

Если автор разработал топологию в связи с выполнением им служебных обязанностей или по заданию работодателя, то право на нее принадлежит работодателю, за исключением случаев, когда договором между автором и работодателем предусмотрено иное. Автору "служебной" топологии, право на которую принадлежит работодателю, должно выплачиваться определенное вознаграждение на основе договора, заключенного им с работодателем. При этом порядок выплаты вознаграждения и его размер устанавливаются договором между автором и обладателем исключительных прав на топологию. В.И. Еременко и Л.И. Подшибихин <*> отмечают, что эту норму "не стоит трактовать как накладывающую на работодателя обязанность заключать такой договор".

<*> Еременко В.И., Подшибихин Л.И. Комментарий к Закону РФ "О правовой охране топологий интегральных микросхем" / В кн.: Комментарий к законодательству об охране интеллектуальной собственности / Под общ. ред. В.И. Еременко. М.: Фонд "Правовая культура", 1997. С. 224.

Право на топологию может быть уступлено его владельцем любому лицу или быть объектом лицензионного договора. В соответствии с п. 5 ст. 9 Закона договоры о передаче исключительных прав на зарегистрированную топологию подлежат регистрации в Роспатенте, а другие договоры о передаче прав на охраняемую топологию могут быть зарегистрированы в Роспатенте.

Из ведомственных нормативных актов Роспатента неясно, где регистрируются и где публикуются сведения о регистрации договоров и передаче прав на незарегистрированную топологию. (Впрочем, аналогичный вопрос остается невыясненным и в отношении незарегистрированных компьютерных программ и баз данных <*>).

<*> См.: П. 5 ст. 13 Закона Российской Федерации "О правовой охране программ для электронных вычислительных машин и баз данных" // Патенты и лицензии. 2003. N 3. С. 64.

Объем исключительных прав на топологию определен в п. 3 ст. 5 Закона. Никто не вправе без разрешения правообладателя воспроизводить охраняемую топологию или ее любую оригинальную часть, распространять путем продажи или иным путем, а также ввозить на территорию России экземпляры материальных носителей охраняемой топологии. Использование топологии, хотя и идентичной той, которая получает правовую охрану, но созданной независимо, в результате параллельного творчества, не является нарушением исключительных прав (п. 2 ст. 8 Закона). Исключительные права распространяются только на случаи использования, которые осуществляются в целях получения прибыли (четвертый абзац п. 1 ст. 1 Закона).

Если экземпляр ИМС с охраняемой топологией был введен в гражданский оборот законным путем, то в дальнейшем он участвует в гражданском обороте свободно (принцип "исчерпания прав").

Незаконное использование охраняемой топологии без согласия правообладателя влечет обязанность возмещения убытков. При этом лицо, которое не знало и не должно было знать, что оно использует ИМС с незаконно воспроизведенной охраняемой топологией, убытки не возмещает. Данное правило соответствует принципу: ответственность возникает при наличии вины (четвертый абзац п. 1 ст. 11 Закона; ст. 1064 ГК РФ). Из этого можно сделать вывод, что виновный нарушитель обязан прекратить правонарушение и возместить причиненные убытки. Закон содержит особые нормы, касающиеся случая, когда охраняемую топологию незаконно использует невиновный нарушитель. Тогда, получив уведомление правообладателя о незаконности своих действий, нарушитель вправе продолжить использование топологии, но с выплатой правообладателю денежной компенсации (второй абзац п. 1 ст. 8 Закона).

Срок действия исключительного права на топологию ИМС составляет 10 лет, исчисляемых с даты:

первого открытого использования топологии в России или за рубежом, подтвержденного документально;

государственной регистрации топологии в патентном ведомстве, если она не использовалась ранее открыто.

Очевидно, что учитывается срок, истекающий первым. Однако, если в результате независимых друг от друга, параллельных разработок охрану получают две или более идентичных топологий, то срок охраны их всех истекает после истечения срока охраны любой из них (ст. 10 Закона).

Дискуссии о правовой охране топологий

Выше упоминалось, что к топологиям ИМС применяется право особого рода, не являющееся ни патентным, ни авторским. Тем не менее до сих пор не прекращаются попытки применения к ним норм патентного права или авторско-правовой охраны. Специалисты отмечают, что правовая охрана топологий сравнима с правовой охраной как изобретений, так и программ для ЭВМ <*>.

<*> Еременко В.И. Новая редакция Закона о правовой охране топологий интегральных микросхем // Изобретательство. 2003. N 5. С. 4.

Интересна дискуссия, проходившая в 2002 - 2004 гг. во время всероссийских научно-практических конференций "Правовая охрана интеллектуальной собственности в современных технологиях". Предложения по расширению правовой охраны и распространению ее на такие подготовительные материалы, как логическое и схемотехническое описание, внес выступавший на конференции М.В. Басс <*>. Он также поднял проблемы реверсного дизайна(или "обратного проектирования"), при котором путем стачивания слоев микросхемы получают информацию о топологии и затем ее воспроизводят. Во время дискуссий М.В. Басс привел в качестве примера подход судов США к определению нарушения: реверсный дизайн нелегитимен, если более поздняя топология создана без материальных затрат, то есть явно с использованием более ранней топологии.

<*> Басс М.В. Проблемы правовой охраны новых результатов творческой деятельности разработчиков в области микроэлектроники: Тезисы 4-й всероссийской научно-практической конференции "Правовая охрана интеллектуальной собственности в современных технологиях". Зеленоград. 7 июня 2004 г. С. 11.

На конференции 2002 г., в соавторстве с А.А. Энгельгардтом, М.В. Басс <*> предлагал защищать кроме "жестких ядер" (топологий ИМС) еще и "мягкие", и "фиксированные ядра" (описание на языке высокого уровня и электрическое описание соответственно) с помощью правового режима ноу-хау. Такой правовой режим позволит защитить алгоритм и блок-схемы, лежащие в основе топологии, "посредством ограничения доступа к ней". Из этого можно сделать вывод, что, как и в правовой охране программ для ЭВМ, в правовой охране топологий ИМС есть тенденция к расширению числа объектов охраны и попытки правовой защиты идей, лежащих в их основе. При этом предложения о применении правовой охраны нормами исключительного права для различных подготовительных и сопутствующих объектов (в приложении к топологиям - логического и схемотехнического описания, в приложении к компьютерным программам - алгоритмов и подготовительных материалов) могут обусловливаться неполным представлением о комплексе существующих возможностей правовой охраны объекта в целом и его частей.

<*> Басс М.В., Энгельгардт А.А. Система-на-кристалле: вопросы защиты интеллектуальной собственности: Тезисы 2-й всероссийской научно-практической конференции "правовая охрана интеллектуальной собственности в современных технологиях". Зеленоград. 3 июня 2002 г. С. 8.

Так, А.В. Трофименко, в частности, полагает, что "охрана объекта по нормам авторского права еще не доказывает отсутствия необходимости охраны того же объекта по нормам патентного права, что хорошо видно на примере алгоритмов и программ для ЭВМ" <*>. Приведенное мнение иллюстрирует часто встречающийся на практике подход, при котором происходит смешение комплексного и составляющих объектов. Например , если программу для ЭВМ представить как комплекс объектов, то исходный текст охраняется по нормам авторского права; алгоритм может входить в качестве составной иллюстрирующей части в заявку на изобретение, касающееся работы устройства; блок-схема электрического взаимодействия элементов такого устройства может быть защищена как полезная модель, а дизайн заставок и обложки продаваемой программы и диска - как промышленный образец. Но все это будут разные объекты.

<*> Трофименко А.В. Нематериальные объекты в гражданских правоотношениях. Саратов: Саратовский государственный социально-экономический университет, 2004.

Часто в отношении охраны топологий, как и в отношении программ для ЭВМ, поднимается вопрос о правовой охране подготовительных материалов и алгоритмов <*>. В случае топологий ИМС предлагается охранять логическое и схемотехническое описания. При этом внимание не акцентируется на том, что логическое описание достаточно хорошо защищается патентом на изобретение, а схемотехническое описание может быть предметом полезной модели; то есть и то, и другое удовлетворительно защищено современным патентным правом. Наш вывод согласуется с информацией о топологиях ИМС, приведенной на сайте Роспатента: "Все остальные элементы технологического процесса изготовления интегральных микросхем могут обеспечиваться правовой охраной другими способами, а объектом правовой охраны является лишь сама топологическая схема, как взаимное расположение элементов полупроводниковой микросхемы".

<*> Данилина Е.А., Карпова А.В. Программы для ЭВМ: проблемы терминологии и охраны // Патенты и лицензии. 2002. N 6.

Практика регистрации топологий

Регистрация топологий ИМС осуществляется в соответствии с Правилами составления, подачи и рассмотрения заявки на официальную регистрацию топологии интегральной микросхемы <*> (далее - Правила), согласно п. 7 которых заявка должна содержать:

<*> Патенты и лицензии. 2003. N 5. С. 69.

заявление на официальную регистрацию топологии ИМС с указанием правообладателя, а также автора, если он не отказался быть указанным в качестве такового, их местонахождения (местожительства), даты первого использования топологии в целях получения прибыли, если оно имело место;

депонируемые материалы, идентифицирующие топологию, включая реферат;

документ, подтверждающий уплату регистрационного сбора в установленном размере или основания для освобождения от уплаты регистрационного сбора, а также для уменьшения его размера.

Следует отметить, что Федеральным законом от 2 ноября 2004 г. N 127-ФЗ "О внесении изменений в части первую и вторую Налогового кодекса Российской Федерации и некоторые другие законодательные акты Российской Федерации, а также о признании утратившими силу отдельных законодательных актов (положений законодательных актов) Российской Федерации", принятым Государственной Думой 20 октября 2004 г., регистрационные сборы были преобразованы в государственную пошлину. Ст. 333.30 этого Закона устанавливает размеры государственной пошлины за совершение... действий по официальной регистрации... топологии интегральной микросхемы. При обращении в уполномоченный федеральный орган исполнительной власти за совершением действий по официальной регистрации программы для электронных вычислительных машин, базы данных и топологии интегральной микросхемы государственная пошлина уплачивается в установленных размерах <*>.

<*> См.: Патенты и лицензии. 2004. N 12. С. 65.

Согласно п. 16 Правил "в целях идентификации топологии депонируемые материалы заявки на регистрацию должны содержать:

полный комплект одного из следующих видов визуально воспринимаемых материалов, отображающих каждый слой топологии:

а) фотографии или копии (на бумажных носителях) фотошаблонов;

б) сборочный топологический чертеж с соответствующей спецификацией;

в) послойные топологические чертежи;

г) фотографии каждого слоя топологии, зафиксированной в ИМС;

реферат...".

В соответствии с п. 49 Правил, при положительном результате упомянутой в п. 45 проверки топология интегральной микросхемы вносится в Реестр топологий интегральных микросхем, правообладателю направляется уведомление об официальной регистрации и выдается свидетельство об официальной регистрации. Затем, в соответствии с п. 4 ст. 9 Закона, сведения об официальной регистрации топологии ИМС публикуются в бюллетене Роспатента.

Согласно подпункту "г" п. 16 Правил в аннотации, публикуемой в бюллетене Роспатента, раскрывается область применения, назначение или функции ИМС и вид применяемой для изготовления ИМС технологии. Обычно в аннотацию, помимо сведений о назначении, области применения и функциях микросхемы, включающей топологию, включены еще и основные технические характеристики (в некоторых случаях в виде таблицы), достаточно полно отражающие необходимые для идентификации топологии значения токов, напряжений, скорости сигналов, мощности.

В качестве примера аннотации приведем топологию, сведения об официальной регистрации которой опубликованы в бюллетене Роспатента N 2(47) от 20 июня 2004 г. под N 2004630008.

Название топологии - "Восьмиразрядный регистр, управляемый по фронту, с параллельным вводом-выводом данных, с инверсным выходом на три состояния", правообладатель - научно-исследовательское конструкторско-технологическое республиканское унитарное предприятие "Белмикросистемы".

Аннотация: "Интегральная микросхема (ИМС) относится к области логических микросхем коммерческого и специального применения в условиях воздействия ионизирующих излучений. ИМС могут использоваться в составе радиоэлектронной аппаратуры ядерных энергетических установок, космических аппаратов и т.п. ИМС изготавливается по КМОП технологии с применением эпитаксиальной структуры. Дата первого использования ИМС, включающей данную топологию в целях получения прибыли, 30 марта 2002 г. ИМС используется в серийном производстве. Основные технические характеристики образцов ИМС с этой топологией кристалла соответствуют стандарту, принятому для логических ИМС серий 54АСХХХ ведущих мировых производителей (ф. Раirchild, ф. Motorola). Основные характеристики ИМС: высокая скорость переключения (типовая задержка - 3 нс, тактовая частота - 150 МГц); выходные токи нагрузки + (плюс/минус) 24 мА при напряжении питания 4,5 В; диапазон работоспособности по напряжению источника питания от 2 до 6 В; диапазон температур от - 60 до +125 градусов Цельсия; согласование по входным напряжениям с КМОП-логикой; высокая устойчивость к воздействию статического электричества по модели человеческого тела > 2000 В; высокая устойчивость к эффекту защелкивания; стойкость к воздействию стационарного ионизирующего излучения по поглощенной дозе > 100 кРад".

Представляется, что при подозрении на нарушение топологии прежде всего принимают во внимание электротехнические параметры. Однако не совсем понятно, как именно можно ознакомиться с материалами заявки на топологию, ведь п. 32 Правил предусматривает возможность ознакомления с поданной заявкой только для заявителя или его представителя.

Число официальных регистраций топологий ИМС увеличивается с 2001 г. Так, в 2001 г. было зарегистрировано 6 топологий, в 2002 г. - 25, а в 2003 г. - 50 топологий. Всего с 1999 по 2003 г. было зарегистрировано 98 топологий. Таким образом, можно отметить положительную тенденцию регистрации топологий ИМС в России. Именно поэтому вопросы их правовой охраны вызывают все больший интерес у специалистов.

Правовая охрана топологий интегральных микросхем (далее – ИМС) возникла только в конце ХХ века. Первой страной, принявшей в 1984 г. Закон об охране полупроводниковой интегральной микросхемы стали США. Вслед за ними в 1985 г. аналогичный закон был принят в Японии.

Это связано с тем, что именно эти страны явились пионерами развития современной микроэлектроники, важнейшим объектом которой являются ИМС. Однако оказалось, что методами патентного и авторского права могут охраняться не все результаты творческой деятельности в сфере микроэлектроники, что и вызвало необходимость принятия специальных законов об охране топологий ИМС.

В России такой правовой акт – Закон «О правовой охране топологий интегральных микросхем» был принят в 1992 году. С 1 января 2008 года эти отношения регулирует ч. IV Гражданского кодекса РФ.

Согласно ст. 1448 ГК топологией интегральной микросхемы является зафиксированное на материальном носителе пространственно-геометрическое расположение совокупности элементов интегральной микросхемы и связей между ними. При этом интегральной микросхемой является микроэлектронное изделие окончательной или промежуточной формы, предназначенное для выполнения функций электронной схемы, элементы и связи которого нераздельно сформированы в объеме и (или) на поверхности материала, на основе которого изготовлено изделие.

Виды материальных носителей могут быть самыми различными: бумага (для чертежей), прозрачная полимерная пленка (для фотошаблонов), магнитный или оптический диск с закодированной на нем информацией о топологии (применяемые в технологии для использования фотошаблонов), наконец, сам кристалл (из полупроводникового или иного материала) интегральной микросхемы со сформированной на нем топологией.

Термин «пространственно-геометрическое» говорит о трехмерном расположении элементов и взаимосвязей, формируемых на кристалл путем последовательного нанесения слоев.

Правовая охрана распространяется только на оригинальную топологию, созданную в результате творческой деятельности автора и являющуюся неизвестной автору и (или) специалистам в области разработки топологий на дату её создания. Топология признается оригинальной до тех пор, пока не доказано обратное.

Топологии, состоящей из элементов, которые известны специалистам в области разработки топологий на дату создания этой топологии, предоставляется правовая охрана только в том случае, если совокупность таких элементов в целом удовлетворяет требованию оригинальности.

Четвертой частью Гражданского кодекса РФ особо устанавливается, что правовая охрана, предоставляемая настоящим Кодексом, не распространяется на идеи, способы, системы, технологию или закодированную информацию, которые могут быть воплощены в топологию. Эти результаты творческой деятельности могут охраняться по нормам авторского и патентного права.

Охрана топологий ИМС как и объектов авторского права возникает с момента их создания, придание топологии объективной формы, например, образец чипа, компакт-диск. Как и для программ для ЭВМ охрана возникает независимо от соблюдения каких-либо формальностей, однако правообладатель в течение срока действия исключительного права на топологию может по своему желанию зарегистрировать её в федеральном органе исполнительной власти по интеллектуальной собственности. Однако, если топология содержит сведения, составляющие государственную тайну, она регистрации не подлежит.

Порядок государственной регистрации топологии установлен ст. 1452 Гражданского кодекса РФ. Для осуществления регистрации, правообладатель должен подать заявку на выдачу свидетельства о государственной регистрации топологии в срок, не превышающий двух лет со дня первого использования топологии.

Заявка на регистрацию должна относится к одной топологии и содержать:

Заявление о государственной регистрации топологии с указанием лица, на имя которого испрашивается регистрация, а также автора, если он не отказался быть упомянутым в качестве такового, места жительства или места нахождения каждого из них, даты первого использования топологии, если оно имело место;

Депонируемые материалы, идентифицирующие топологию, включая реферат;

Документ, подтверждающий уплату пошлины в установленном размере, или основания освобождения от уплаты пошлины, либо уменьшения её размера, либо отсрочки её уплаты;

Правила оформления заявки на регистрацию определяет федеральный орган исполнительной власти, осуществляющий нормативно-правовое регулирование в сфере интеллектуальной собственности.

В настоящее время это Правила составления, подачи и рассмотрения заявки на официальную регистрацию топологии интегральной микросхемы от 25 февраля 2003 года.

В ходе рассмотрения заявки на государственную регистрацию топологии ИМС осуществляется только проверка наличия необходимых документов и их соответствие установленным требованиям. Проверка существа решения, например, оригинальности топологии, не проводится.

При положительном результате проверки топология вносится в Реестр топологий ИМС, заявителю выдается свидетельство о государственной регистрации топологии, публикуются сведения о зарегистрированной топологии в официальном бюллетене.

Лицу (лицам), в результате творческого труда которого (которых) создана топология ИМС, принадлежат следующие интеллектуальные права:

1) исключительное право;

В случаях, предусмотренных ГК, автору принадлежат также другие права, в том числе право на вознаграждение за использование служебной топологии. Если исключительное права на топологию, созданную работником в связи с выполнением своих трудовых обязанностей или конкретного задания, принадлежит работодателю, работник имеет право на получение от работодателя вознаграждения, размер которого, условия и порядок выплаты определяются договором между указанными субъектами, а в случае спора – судом. Таким же правом на вознаграждение обладает автор топологии, созданной при выполнении работ по договору подряда или договору на НИОКР, заказу или при выполнении работ по государственному или муниципальному контракту.

Исключительное право на топологию, как и иные объекты интеллектуальных прав, предоставляет правообладателю возможность использования топологии любым, не противоречащим закону способом. Часть 4 ГК признает использованием топологии действия, направленные на извлечение прибыли, в частности:

1) воспроизведение топологии в целом или частично путем включения в интегральную микросхему либо иным образом, за исключением воспроизведения только той части топологии, которая не является оригинальной;

2) ввоз на территорию Российской Федерации, продажа и иное введение в гражданский оборот топологии, или интегральной микросхемы, в которую включена эта топология, или изделия, включающие в себя ИМС.

Далее правообладатель может распоряжаться исключительным правом на топологию. Распоряжение может осуществляться путем заключения договоров об отчуждении исключительного права на топологию или лицензионных договоров о предоставлении права использования топологии ИМС.

В силу специфики топологий ИМС, позволяющей создать идентичные объекты в результате, так называемого, параллельного творчества ст. 1454 ГК устанавливает, что за лицом, независимо создавшим топологию, идентичную другой топологии, признается самостоятельное исключительное право на эту (самостоятельно созданную) топологию.

Поэтому использование таких топологий осуществляется их правообладателями свободно и не может рассматриваться как правонарушение.

Гражданский кодекс устанавливает также перечень действий, которые не являются нарушением исключительного права на топологию.

К таковым относится:

1) осуществление действий по воспроизведению топологии или её ввозу, продажи, иному введению в гражданский оборот в целях извлечения прибыли, в отношении ИМС, в которую включена незаконно воспроизведенная охраняемая топология, а также любого включающего в себя такую интегральную микросхему изделия в случаях, если лицо, совершающее такие действия, не знало и не должно было знать, что в неё включена незаконно воспроизведенная топология. После получения уведомления о незаконном воспроизведении охраняемой топологии указанное лицо может использовать наличный запас изделий, включающим в себя ИМС, в которую включена незаконно воспроизведенная топология, а также изделия, заказанные до этого момента. При этом указанное лицо обязано выплатить правообладателю компенсацию за использование топологии, соразмерную тому вознаграждению, которое могло бы быть выплачено при сравнимых обстоятельствах за аналогичную топологию;

2) использование охраняемой топологии в личных целях, не преследующих получения прибыли, а также в целях оценки, анализа, исследования или обучения;

3) распространение интегральных микросхем с охраняемой топологией, ранее введенных в гражданский оборот лицом, обладающим исключительным правом на топологию, или иным лицом с разрешения правообладателя.

Независимо от регистрации топологии ИМС правообладатель для оповещения о своем исключительном праве на топологию интегральной микросхемы вправе использовать знак охраны, который помещается на охраняемой топологии, а также на изделиях, содержащих такую топологию, и состоит из следующим элементов:

Выделенной прописной буквы Т («Т», [Т], (Т), Т* или Т);

Даты начала срока действия исключительного права на охраняемую топологию;

Информация, позволяющая идентифицировать правообладателя.

Помещение такого знака не является обязательным и зависит от усмотрения автора или иного обладателя исключительного права на топологию ИМС.

Исключительное право на охраняемую топологию действует в течение 10 лет. Срок действия исключительного права на топологию исчисляется либо со дня первого использования топологии, под которым подразумевается наиболее ранняя документально зафиксированная дата введения в гражданские оборот этой топологии в России или за рубежом, интегральной микросхемы с этой топологией или включающего в себя такую интегральную микросхему изделия, либо со для регистрации топологии в федеральном органе исполнительной власти по интеллектуальной собственности, в зависимости от того, какое из указанных событий наступило первым. В случае появлении идентичной оригинальной топологии независимо созданной другим автором, исключительные права на обе топологии прекращаются по истечении 10 лет после возникновения исключительного права на первую из них.

По истечении срока действия исключительного права охраняемая топология переходит в общественное достояние, то есть может свободно использоваться любым лицом без чьего-либо согласия или разрешения и без выплаты вознаграждения за использование.

В случае нарушения исключительного права на топологию ИМС или иных прав автора могут использоваться меры защиты, предусмотренные гражданским кодексом РФ, установленные для защиты и иных интеллектуальных прав ст. ст. 12; 1250-1252. Защита прав осуществляется судом. Уголовной или административной ответственности за нарушение прав на топологии ИМС в настоящее время не предусмотрено.

Сегодня поговорим о третьем нетрадиционном объекте интеллектуальной собственности - топологии интегральных микросхем. На первый взгляд может показаться, что объект очень сложный, и разобраться в нем может только человек, обладающий глубокими познаниями в области науки и техники, однако в действительности это не так. Постараемся понятно объяснить, в чем сущность этого объекта, и почему он не отнесен к патентному праву.

Понятие и общая характеристика, примеры

Рассматриваемый объект будет относиться к сфере микроэлектроники. В статье 1448 Гражданского кодекса РФ дается определение как интегральной микросхемы, так и ее топологии. Перефразируем, чтобы было понятно.

Интегральная микросхема - это определенное электронное изделие, все элементы в котором соединены и выполняют общую функцию.

Топология интегральных микросхем - это расположение различных элементов на этой микросхеме и связи между ними. Закон говорит о «пространственно-герметическом» расположении этих элементов. Элементы здесь - это блоки, триггеры, формирователи, адресные стеки и все остальное, что мы видим на поверхности любой микросхемы.

Таким образом, закон охраняет не саму микросхему как электронное устройство, а ее топологию - т. е. расположение элементов на поверхности. Скорее всего, это и обусловило природу топологии интегральной микросхемы как нетрадиционного объекта, а не объекта патентного права: система расположения составных частей микросхемы не оказывает существенного влияния на научно-технический прогресс, как это происходит, к примеру, с изобретениями и полезными моделями.

В силу той же статьи 1448 ГК РФ не требуется, чтобы сами элементы были новыми, достаточно, чтобы сами связи между ними являлись оригинальными.

Проанализируем пример из реестра ФИПС - топологию интегральной микросхемы №2017630100, которая называется «Радиочастотная микросхема для водительского удостоверения и свидетельства о регистрации транспортного средства». В описании (реферате) к этому объекту обозначены особенности самой микросхемы, заложенные в ней алгоритмы и технологии - видно, что именно это и было целью творческой деятельности автора. Однако законом охраняться все равно будет пространственное расположение на этой микросхеме ее элементов, а не заложенные в ней технические идеи.

Личные неимущественные права

У топологии есть автор - лицо, которое создало объект своим интеллектуальным трудом. У автора возникает на топологию только право авторства - юридическая возможность считаться автором и одновременно гарантия взыскивать компенсацию морального вреда с лиц, которые могут попытаться присвоить авторство себе. Других личных неимущественных прав в законе не предусмотрено.

Исключительное право

Как обычно, первоначально оно возникает у автора, но на практике правообладателем чаще всего бывает организация. В целом исключительное право на топологии не обладает какими-то отличительными чертами. Закон упоминает следующие действия в рамках использования этого объекта:

1. Воспроизведение топологии, например, на самой микросхеме. При этом закон разрешает воспроизводить лишь ту часть топологии, которая оригинальная.
2. Ввоз на территорию России, а также вывоз с нее;
3. Введение в гражданский оборот как самой топологии, так и микросхемы или другого изделия, где она воспроизведена. Чаще всего основанием будет какая-то сделка, например, купля-продажа.

Закон также упоминает ситуацию, когда другой гражданин придумал топологию, уже созданную кем-то ранее. В таком случае за этим автором будет признаваться исключительное право независимо от лиц, ранее создавших такую же топологию.

Кроме того, в законе закреплены случаи, когда допускается использовать объект без согласия правообладателя. В частности, это:

1. Использование в личных целях, а также в рамках исследования, анализа.
2. Распространение микросхем, на которых воспроизведена топология, если они были законно введены в гражданский оборот. Например, если состоялась покупка этой микросхемы.

Срок действия исключительного права на топологию - 10 лет без возможности его продления. При этом закон предусматривает два возможных момента, с которых может начать течь этот срок: в первом случае таковым является момент первого использования этого объекта; во втором случае - это государственная регистрация, произведенная по желанию правообладателя. Решающим будет дата: у какого события она более ранняя - с этого момента и будет течь срок действия исключительного права.

Еще раз вернемся к ситуации, когда два разных человека создали идентичные топологии. Срок в этом случае будет течь с момента использования первой из них, и второму автору придется уже «подстраиваться» под этот срок.

Государственная регистрация

Еще раз обратим внимание, что она не является обязательной. Если обратиться к статистике, то за 2016 год было зарегистрировано всего 174 топологии интегральных микросхем (из 186 заявок). Это немного, сравнивая, например, с количеством зарегистрированных селекционных достижений (их за тот же период было зарегистрировано более 500). Кратко пробежимся по особенностям регистрации.

Зарегистрировать топологию можно в течение срока ее охраны, но если объект уже используется, то подать заявку на регистрацию можно в течение двух лет. Регистрирующим органом является Роспатент, а именно - его подведомственное учреждение, ФИПС.

Заявка подается только на одну топологию. В ней обязательно должно быть:

1. Заявление;
2. Материалы, которые идентифицируют топологию (схемы, чертежи), а также реферат, который отражается в свидетельстве на регистрацию. Пример реферата для любой топологии легко найти, если ознакомиться с реестром (о том, как работать с реестром ФИПС - см. эту статью).

Более подробно процедуру можно посмотреть в Приказе Минэкономразвития России от 30.09.2015 N 700.

Таким образом, топология интегральной микросхемы - это важнейший объект интеллектуальной собственности в сфере микроэлектроники. Когда создается топология, автор ищет определенное решение именно касательно работы микросхемы, однако охраняться законом будет не содержание этого решения, а только форма - расположение элементов микросхемы.

Введение

Сложную современную технику трудно представить без интегральных микросхем. Интегральные микросхемы применяются как в промышленной, так и в бытовой технике, и сама широта их использования требует введения особых правил, которые, с одной стороны, обеспечили бы защиту интересов разработчика и производителя подобных микросхем, а с другой - не создали бы существенных сложностей для изготовителей электронных устройств, включающих такие топологии, и неудобств пользователям соответствующей техники.

Первый закон, посвященный охране топологий интегральных микросхем, был принят в 1984 г. в США, и с тех пор законы в этой области появились в большинстве развитых стран мира. В 1992 г. был принят специальный закон и в Российской Федерации Закон РФ от 23.09.1992 № 3526-1 (ред. от 02.02.2006) "О правовой охране топологий интегральных микросхем" // http://www.consultant.ru/. Утратил силу.. Данный Закон утратил силу в связи с принятием части 4 Гражданского кодекса Российской Федерации Гражданский кодекс Российской Федерации (часть четвертая) от 18.12.2006 № 230-ФЗ (ред. от 08.12.2011) // http://www.consultant.ru/ (далее - ГК РФ) (причем положения названного Закона вошли с некоторыми изменениями в часть 4 ГК РФ).

Специфика правового регулирования в этой области определена особенностями самого объекта. Интегральные микросхемы могут включать в себя многие тысячи и даже миллионы элементов, разработка таких микросхем зачастую весьма дорога, а срок коммерческого использования невелик. При этом стоимость тиражирования микросхемы (при больших объемах) может быть многократно ниже стоимости ее разработки. В таких условиях защита интересов производителей интегральных микросхем оказывается весьма важной, но непростой задачей.

Целью настоящей работы является исследование вопросов права на топологию интегральной микросхемы.

Задачи работы: анализ понятия права на топологию интегральной микросхемы; исследование срока действия исключительного права на топологию; изучение государственной регистрации топологии интегральной микросхемы.

Топология интегральной микросхемы: понятие и права на нее

Согласно п. 1 ст. 1448 ГК РФ, топологией интегральной микросхемы является зафиксированное на материальном носителе пространственно-геометрическое расположение совокупности элементов интегральной микросхемы и связей между ними. При этом интегральной микросхемой является микроэлектронное изделие окончательной или промежуточной формы, которое предназначено для выполнения функций электронной схемы, элементы и связи которого нераздельно сформированы в объеме и (или) на поверхности материала, на основе которого изготовлено такое изделие.

В декабре 1986 г. страны - члены ЕЭС приняли Директиву Совета о правовой охране топологий (topographies) полупроводниковых изделий, призванную унифицировать основные положения национальных законодательств стран - членов ЕЭС по правовой охране данных объектов. Топология полупроводникового изделия в соответствии с указанной Директивой представляет собой серию взаимосвязанных изображений, каким-либо образом зафиксированных или закодированных, отражающих трехмерную структуру слоев, из которых состоит полупроводниковое изделие; причем в этой серии каждое изображение отражает рисунок или часть рисунка поверхности полупроводникового изделия на любой стадии его изготовления. В Директиве отмечается, что топологии полупроводникового изделия предоставляется правовая охрана при условии, если она является результатом умственной (интеллектуальной) деятельности ее разработчика и не стала общеизвестной в полупроводниковой промышленности. Если топология состоит из элементов, общеизвестных в полупроводниковой промышленности, ей предоставляется правовая охрана лишь в том случае, когда совокупность таких элементов в целом не является общеизвестной Беликова К. Гармонизация положений об охране прав на топологии интегральных микросхем в Европейском Союзе // Интеллектуальная собственность. Авторское право и смежные права. 2011. № 2. С. 33..

Согласно п. 1 ст. 1449 ГК РФ, за автором топологии признаются право авторства, содержание и природа которого раскрываются в ст. 1453 ГК РФ, и исключительное право, содержание которого раскрыто в ст. 1454 ГК РФ. Кроме того, за автором признается право на вознаграждение в случаях создания служебной топологии (п. 4 ст. 1461 ГК РФ), создания топологии при выполнении работ по договору (п. 3 ст. 1462 ГК РФ), создания топологии по заказу (п. 4 ст. 1463 ГК РФ), по государственному или муниципальному контракту (ст. 1464 и п. 5 ст. 1298 ГК РФ).

В ст. 1450 ГК РФ отмечается, что автором может быть только физическое лицо, которое вложило творческий труд в создание топологии, т.е. в пространственно-геометрическое расположение совокупности элементов интегральной микросхемы и связей между ними. Лица, которые оказывали организационное или материальное содействие, контролировали выполнение работы, не могут быть в соответствии с п. 1 ст. 1228 ГК РФ признаны авторами топологии интегральной микросхемы. Закреплена презумпция: автором является лицо, указанное в заявке на выдачу свидетельства о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы. Эта презумпция может быть опровергнута.

Топологии интегральной микросхемы, как и другие результаты интеллектуальной деятельности, могут быть созданы совместным творческим трудом двух и более лиц (ст. 1451 ГК РФ). При этом именно творческий труд должен быть вложен каждым соавтором, ведь если какое-либо лицо оказывало только организационное, техническое или материальное содействие, то оно не может быть признано соавтором Гаврилов Э.П. Понятие топологии интегральной микросхемы // Патенты и лицензии. 2008. № 5. С. 2..

Право авторства, т.е. право признаваться автором топологии, неотчуждаемо и непередаваемо, в том числе при передаче другому лицу или переходе к нему исключительного права на топологию и при предоставлении другому лицу права ее использования. Отказ от этого права ничтожен (ст. 1453 ГК РФ).

Обладатель исключительного права может использовать топологию, при этом под использованием понимаются только такие действия, которые связаны с извлечением прибыли; это значит, что если то или иное действие не направлено на извлечение прибыли, то его нельзя рассматривать как способ использования топологии интегральной микросхемы Корнеев В.А. Программы для ЭВМ, базы данных и топологии интегральных микросхем: основания возникновения авторского права // Законодательство. 2006. № 11. С. 72.. Таким образом, если какое-либо лицо воспроизводит топологию не с целью извлечения прибыли, то не имеет место использование топологии, а следовательно, не нужно получать согласие у правообладателя.

В п. 2 ст. 1454 ГК РФ содержится лишь примерный перечень способов использования топологии. Нужно обратить внимание, что поскольку топология охраняется, в силу того что она оригинальна, то для предоставления охраны части топологии она также должна обладать свойством оригинальности, если же она таким свойством не обладает, то она не охраняется. В связи с изложенным законодатель предусматривает в подп. 1 п. 2 ст. 1454 ГК РФ, что воспроизведение части топологии, которая не является оригинальной, не рассматривается как способ использования интегральной микросхемы Корнеев В.А. Программы для ЭВМ, базы данных и топологии интегральных микросхем как объекты авторского права // Вестник Московского университета. Серия 11: Право. 2006. № 6. С. 102..

В подп. 2 п. 2 ст. 1454 ГК РФ говорится, что к способу использования интегральной микросхемы относятся ввоз, продажа и иное введение в гражданский оборот не только топологии, но и интегральной микросхемы, в которую включена топология, и изделие, в которую включена такая интегральная микросхема. Таким образом, перед продажей изделия с включенной в нее интегральной микросхемой, топология которой охраняется, продавец должен получить разрешение на использование топологии указанным способом. Если не будет заключен лицензионный договор пользователя с правообладателем, то будет нарушено исключительное право на топологию, за исключением случаев, предусмотренных в ст. 1456 ГК РФ.

Особенностью правовой охраны топологии интегральной микросхемы является то, что на одну и ту же топологию может существовать несколько самостоятельных исключительных прав. Данное обстоятельство обусловлено характером творческого труда при создании топологии. Тождественная топология может быть создана при параллельном творчестве в отличие от творческого труда при создании объекта авторского права Еременко В.И. Понятие топологии интегральной микросхемы и исключительное право на топологию // Изобретательство. 2010. № 8. С. 8..

Правообладатель для оповещения о своем исключительном праве на топологию вправе использовать знак охраны, который помещается на топологии, а также на изделиях, содержащих такую топологию, и состоит из выделенной прописной буквы "Т" ("Т", [Т], "Т" в окружности, Т* или "Т" в квадрате), даты начала срока действия исключительного права на топологию и информации, позволяющей идентифицировать правообладателя (ст. 1455 ГК РФ).

Выделяют понятие "служебная топология". В п. 1 ст. 1461 ГК РФ содержится определение "служебная топология". Законодатель относит к служебным топологии, созданные в силу выполнения трудовых обязанностей и в силу конкретного задания работодателя. Законодатель попытался расширить объем понятия "служебная топология", отнеся к служебным топологиям не только те, которые созданы в силу трудовых обязанностей, но и те, которые созданы за пределами трудовой обязанности лицом, состоящим в трудовых отношениях с лицом, который дал ему задание на создание топологии. Вместе с тем представляется, что если речь идет о выполнении задания по созданию топологии за рамками трудового договора, то топология не должна относиться к служебной, так как в этом случае лицо, дающее задание другому лицу, не может рассматриваться в качестве работодателя последнего. Поэтому, думается, к служебной топологии должна относиться только такая топология, которая выполнена в рамках трудовых обязанностей Корнеев В.А. Субъекты авторского права на программы для ЭВМ, базы данных, топологии интегральных микросхем // Законодательство. 2007. № 1. С. 52..

В п. 2 ст. 1461 ГК РФ предусматривается, что право авторства на служебную топологию принадлежит работнику.

Автор топологии имеет право на вознаграждение, если исключительное право принадлежит работодателю и если работодатель передал это право третьему лицу. Выплачивать вознаграждение в любом случае должен работодатель. Размер вознаграждения, условия и порядок его выплаты согласно п. 4 ст. 1461 ГК РФ должны быть определены договором, заключенным между работодателем и работником. В сущности, между ними заключается не договор, а соглашение, так как последнее не порождает обязательство, а лишь конкретизирует его условия. Если не достигнуто согласие, размер, порядок и условия выплаты вознаграждения устанавливаются судом.

В п. 5 ст. 1461 ГК РФ в целях защиты интересов работодателя предусматривается, что, если топология была создана работником с использованием денежных, технических или иных материальных средств работодателя, но не в связи с выполнением своих трудовых обязанностей или конкретного задания работодателя, она не является служебной. Однако предусматривается, что работодатель может потребовать предоставления безвозмездной простой лицензии на использование созданной топологии для собственных нужд на весь срок действия исключительного права на топологию или возмещения расходов, понесенных им в связи с созданием такой топологии. Однако исключительное право на топологию остается у автора Право интеллектуальной собственности: учебник [для вузов] / под ред. И.А. Близнеца; Рос. госуд. ин-т интеллект. соб-ти; [И.А. Близнец, Э.П. Гаврилов, О.В. Добрынин [и др.]. М.: Проспект, 2011. С. 594..

Для тех случаев, когда топология создается по договору (ст. 1462 ГК РФ), ГК РФ закрепляет следующую принципиальную конструкцию: исключительное право на топологию принадлежит одной стороне, а другая сторона получает ограниченное право на использование топологии на условиях простой (неисключительной) лицензии, причем такое распределение прав может быть изменено в договоре. Конкретная же реализация этого принципа будет зависеть от того, являлось ли создание данной топологии предметом рассматриваемого договора или нет. Если предметом договора было создание определенной топологии (ст. 1463 ГК РФ), то исключительное право на нее принадлежит заказчику (либо указанному им третьему лицу). Если топология была создана при выполнении работ по государственному или муниципального контракту, то в силу ст. 1464 ГК РФ права на такую топологию будут распределяться по тем же правилам, что установлены для произведений литературы, науки или искусства (ст. 1298 ГК РФ).

Затем пластину переворачивают, шлифуют и полируют со стороны монокристаллического кремния почти до пленкиSiO2 . Оставшийся перед пленкойSiO2 слой монокристаллического кремния снимают в полирующем травителе. В результате получается подложка с изолированными областями(карманами) монокристаллического кремния. В каждом из карманов обычными приемами планарной технологии формируют необходимые структуры активных и пассивных элементов ИМС. Таким образом, изоляция элементов ИМС осуществляется тонкой пленкой SiO2 . Слой поликристаллического кремния, в котором утоплены области монокристаллического кремния, играет роль несущей подложки.

Изоляция элементов ИМС воздушными промежутками.

Принципиальное отличие изоляции воздушными промежутками от изоляции тонкой пленкой диэлектрика заключается в наличии непроводящей подложки. Этим отличием обусловлены качественно новые характеристики ИМС.

К методам изоляции элементов ИМС воздушными промежутками относятся: декаль-метод, метод балочных выводов, метод «кремний на сапфире» (КНС) и др.

Комбинированный способ изоляции.

Стремление к использованию преимуществ, которыми обладают методы изоляции с помощью обратно смещенногоp -n - перехода и диэлектрической изоляции в единой структуре, привело к созданию комбинированного способа изоляции. При комбинированном способе изоляция элементов с боковых сторон осуществляется диэлектриком, а со стороны дна– обратно смещенным p -n -переходом. Способы комбинированной изоляции, (изопланар, эпипланар, полипланар и др.) наиболее перспективны для получения высокой плотности размещения элементов и улучшения электрических параметров ИМС.

5.8 Разработка топологии полупроводниковых ИМС

Основой для разработки топологии полупроводниковой ИМС являются электрическая схема, требования к электрическим параметрам и к параметрам активных и пассивных элемен-

тов, конструктивно-технологические требования и ограничения. Разработка чертежа топологии включает в себя такие этапы:

выбор конструкции и расчет активных и пассивных элементов ИМС; размещение элементов на поверхности и в объеме подложки и создание рисунка разводки(коммутации) между элементами; разработку предварительного варианта топологии; оценку качества топологии и ее оптимизацию; разработку окончательного варианта топологии. Целью работы конструктора при разработке топологии является минимизация площади кристалла ИМС, минимизация суммарной длины разводки и числа пересечений в ней.

Конструктивно-технологические ограничения при разработке топологии ИМС на биполярных транзисторах. Важней-

шей технологической характеристикой, определяющей горизон-

может быть уверенно сформирован при заданном уровне технологии, например, минимальная ширина окна в окисле кремния, минимальная ширина проводника, минимальный зазор между проводниками, минимальное расстояние между краями эмиттерной и базовой областей и т.д. Пусть минимальный размер, который может обеспечить технология, равен d . Тогда зазор между областью, занимаемой транзистором, и другими элементами ИМС больше минимального размераd на величину боковой диффузии под окисел, которая при разделительной диффузии примерно равна толщине эпитаксиального слоя d э .

Правила проектирования топологии полупроводниковой ИМС. Разработка топологии ИМС – творческий процесс, и его результаты существенно зависят от индивидуальных способностей разработчика, его навыков и знаний. Сущность работы по

созданию топологии ИМС сводится к нахождению такого оптимального варианта взаимного расположения элементов схемы, при котором обеспечиваются высокие показатели эффективности производства и качества ИМС: низкий уровень бракованных изделий, низкая стоимость, материалоемкость, высокая надежность, соответствие получаемых электрических параметров заданным. К разработке топологии приступают после того, как количество, типы и геометрическая форма элементов ИМС определены.

Правила проектирования изолированных областей. Количество и размеры изолированных областей оказывают существенное влияние на характеристики ИМС, поэтому:

2) к изолирующим p -n -переходам всегда должно быть приложено напряжение обратного смещения, что практически осуществляется подсоединением подложкир- типа, или области разделительной диффузии р- типа, к точке схемы с наиболее отрицательным потенциалом. При этом суммарное обратное напряжение, приложенное к изолирующемур -n- переходу, не должно превышать напряжения пробоя;

3) диффузионные резисторы, формируемые на основе базового слоя, можно располагать в одной изолированной области, которая подключается к точке схемы с наибольшим положительным потенциалом. Обычно такой точкой является контактная площадка ИМС, на которую подается напряжение смещения от коллекторного источника питания;

4) резисторы на основе эмиттерного и коллекторного слоев следует располагать в отдельных изолированных областях;

5) транзисторы типа n -р -n , коллекторы которых подсоединены непосредственно к источнику питания, целесообразно размещать в одной изолированной области вместе с резисторами;

6) транзисторы типа n -р -n , которые включены по схеме с

общим коллектором, можно располагать в одной изолированной области;

7) все другие транзисторы, кроме упомянутых в п. 5 и 6, необходимо располагать в отдельных изолированных областях, т.е. все коллекторные области, имеющие различные потенциалы, должны быть изолированы;

9) количество изолированных областей для диодов может сильно изменяться в зависимости от типа диодов и способов их включения. Если в качестве диодов используются переходы ба- за-коллектор, то для каждого диода требуется отдельная изолированная область, так как каждый катод(коллекторная область n -типа) должен иметь отдельный вывод. Если в качестве диодов используются переходы эмиттер – база, то все диоды можно поместить в одной изолированной области. При этом все катоды диодов (эмиттерные области) сформированы отдельно в общем аноде. Аноды диодов с помощью соединительной металлизации закорачивают на изолированную (коллекторную) область;

10) для диффузионных конденсаторов требуются отдельные изолированные области. Исключение составляют случаи, когда один из выводов конденсатора является общим с другой изолированной областью;

11) для диффузионных перемычек всегда требуются - от дельные изолированные области.

Правила размещения элементов ИМС на площади кристалла. После определения количества изолированных областей приступают к их размещению в нужном порядке, размещению элементов, соединению элементов между собой и с контактными площадками, руководствуясь следующими правилами:

1) при размещении элементов ИМС и выполнении зазоров между ними необходимо строго выполнять ограничения, соответствующие типовому технологическому процессу;

2) резисторы, у которых нужно точно выдерживать отношение номиналов, должны иметь одинаковую ширину и конфигурацию и располагаться рядом друг с другом. Это относится и к другим элементам ИМС, у которых требуется обеспечить точное соотношение их характеристик;

3) резисторы с большой мощностью не следует располагать вблизи активных элементов;

4) диффузионные резисторы можно пересекать проводящей дорожкой поверх слоя окисла кремния, покрывающего резистор;

5) форма и место расположения конденсаторов не являются критичными;

7) для улучшения развязки между изолированными областями контакт к подложке следует располагать рядом с мощным транзистором или как можно ближе ко входу или выходу схемы;

8) число внешних выводов в схеме, а также порядок расположения и обозначения контактных площадок выводов ИМС на кристалле должны соответствовать выводам корпуса;

9) коммутация в ИМС должна иметь минимальное количество пересечений и минимальную длину проводящих дорожек. Если полностью избежать пересечений не удается, их можно осуществить, используя обкладки конденсаторов, формируя дополнительные контакты к коллекторным областям транзисторов, применяя диффузионные перемычки,инаконец, создавая дополнительный слой изоляции между пересекающимися проводниками;

10) первую контактную площадку располагают в нижнем левом углу кристалла и отличают от остальных по ее положению относительно фигур совмещения или заранее оговоренных элементов топологии.

Нумерацию остальных контактных площадок проводят против часовой стрелки. Контактные площадки располагают в зависимости от типа выбранного корпуса по периметру кристалла или по двум противоположным его сторонам;

11) фигуры совмещения располагают одной-двумя группа-

ми на любом свободном месте кристалла; 12) при разработке аналоговых ИМС элементы входных

дифференциальных каскадов должны иметь одинаковую топологию и быть одинаково ориентированными в плоскости кристалла; для уменьшения тепловой связи входные и выходные каскады должны быть максимально удалены; для уменьшения высокочастотной связи через подложку контакт к ней следует осуществлять в двух точках – вблизи входных и выходных каскадов.

Рекомендации по разработке эскиза топологии. Для обеспечения разработки эскиза топологии рекомендуется с самого начала вычертить принципиальную электрическую схему так, чтобы ее выводы были расположены в необходимой последовательности. Каждая линия, пересекающая резистор на принципиальной электрической схеме, будет соответствовать металлизированной дорожке, пересекающей диффузионный резистор по окислу на топологической схеме.

На этапе эскизного проектирования топологии необходимо предусмотреть решение следующих задач: расположить как можно большее число резисторов в одной изолированной области; подать наибольший потенциал на изолированную область, где размещены резисторы; подать наиболее отрицательный потенциал на подложку вблизи мощного транзистора выходного каскада; рассредоточить элементы, на которых рассеиваются большие мощности; расположить элементы с наименьшими размерами и с наименьшими запасами на совмещение в центре эскиза топологии; сократить число изолированных областей и уменьшить периметр каждой изолированной области.

В случае, если принципиальная электрическая схема содержит обособленные группы или периодически повторяющиеся группы элементов, объединенных в одно целое с точки зрения выполняемых ими функций, разработку рекомендуется начинать с составления эскизов топологии для отдельных групп элементов, затем объединить эти эскизы в один, соответствующий всей схеме.

На основе эскиза разрабатывают предварительный вариант топологии, который вычерчивают на миллиметровой бумаге в выбранном масштабе, обычно 100:1 или 200:1 (выбирают мас-

штабы, кратные 100). Топологию проектируют в прямоугольной системе координат. Каждый элемент топологии представляет собой замкнутую фигуру со сторонами, состоящими из отрезков прямых линий, параллельных осям координат. Придание элементам форм в виде отрезков прямых линий, непараллельных осям координат, допустимо только в тех случаях, когда это приводит к значительному упрощению формы элемента. Например, если форма элемента состоит из ломаных прямых, составленных в виде «ступенек» с мелким шагом, рекомендуется заменить их одной прямой линией. Координаты всех точек, расположенных в вершинах углов ломаных линий, должны быть кратны шагу координатной сетки.

В процессе вычерчивания топологии для получения оптимальной компоновки возможно изменение геометрии пассивных элементов, например пропорциональное увеличение длины и ширины резисторов или их многократный изгиб, позволяющие провести над резистором полоски металлической разводки или получить более плотную упаковку элементов. При изменении формы пассивных элементов в процессе их размещения проводят корректировочные расчеты.

При проектировании слоя металлизации размеры контактных площадок и проводников следует брать минимально допустимыми, а расстояния между ними – максимально возможными.

После выбора расположения элементов и контактных площадок, создания рисунка разводки необходимо разместить на топологии фигуры совмещения, тестовые элементы (транзисторы, резисторы и т.д. – приборы, предназначенные для замера электрических параметров отдельных элементов схемы), реперные знаки. Фигуры совмещения могут иметь любую форму (чаще всего квадрат или крест), причем надо учесть, что на каждом фотошаблоне, кроме первого и последнего, имеются две фигуры, расположенные рядом друг с другом. Меньшая фигура предназначена для совмещения с предыдущей технологической операцией, а большая – с последующей. На первом фотошаблоне расположена только большая фигура, а на последнем – только меньшая.

При разработке топологии важно получить минимальную площадь кристалла ИМС. Это позволяет увеличить производительность, снизить материалоемкость и повысить выход годных

ИМС, поскольку на одной полупроводниковой пластине можно разместить большее число кристаллов и уменьшить вероятность попадания дефектов, приходящихся на кристалл. При размерах стороны кристалла до 1 мм ее величину выбирают кратной 0,05 мм, а при размерах стороны кристалла 1…2 мм – кратной 0,1 мм.

Для любой принципиальной электрической схемы можно получить много приемлемых предварительных вариантов топологии, удовлетворяющих электрическим, технологическим и конструктивным требованиям. Любой предварительный вариант подлежит дальнейшей доработке.

Если после уплотненного размещения всех элементов на кристалле выбранного размера осталась незанятая площадь, рекомендуется перейти на меньший размер кристалла. Если этот переход невозможен, то незанятую площадь кристалла можно использовать для внесения в топологию изменений, направленных на снижение требований к технологии изготовления полупроводниковой ИМС. Например, можно увеличить размеры контактных площадок и расстояния между контактными площадками, ширину проводников и расстояние между ними, по возможности выпрямить элементы разводки, резисторы, границы изолированных областей. Пример общего вида топологии приведен на рис. 5.25.

Проверка правильности разработки топологии ИМС. По-

следний из составленных и удовлетворяющий всем требованиям вариант топологии подвергают проверке в такой последовательности. Проверяют соответствие технологическим ограничениям: минимальных расстояний между элементами, принадлежащими одному и разным слоям ИМС; минимальных размеров элементов, принятых в данной технологии, и других технологических ограничений; наличия фигур совмещения для всех слоев ИМС; размеров контактных площадок для присоединения гибких выводов; расчетных размеров элементов их размерам на чертеже топологии; мощности рассеяния резисторов, максимально допустимой удельной мощности рассеяния, а также обеспечение возможности контроля характеристик элементов ИМС.

1.Все размеры на чертеже даны в мкм

2. Характеристики и данные по изготовлению отдельных слоев приведены в таблице 1

3. Нумерация контактных площадок и обозначения элементов показаны условно

4. Элементы в слоях выполнять по таблицам координат, приведенным на соответствующих листах чертежа

Кристалл

6 КЭФ 4,5 / 3, 5 КЭС 15 60 200КДБ 10(100)

Рис. 5.25 – Общий вид топологии ИМС на биполярных транзисторах